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J-GLOBAL ID：200903056663436024

半導体発光素子用の電極

Inventor： 三木 久幸 ,  村木 典孝
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997236117
Publication number (International publication number)：1999087772
Application date： Sep. 01, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 良好な発光効率を示し簡便に作製可能な半導体発光素子用の電極を提供する。【解決方法】 半導体上に形成した透光性の第1の電極とワイヤボンディング用の第2の電極よりなる半導体発光素子用の電極において、第2の電極において半導体に接触する金属材料は、第1の電極において半導体に接触する金属材料よりも、半導体に対する単位面積当たりの接触抵抗が高いものとする。

Claim (excerpt)：

半導体上に形成した透光性の第1の電極とワイヤボンディング用の第2の電極よりなる半導体発光素子用の電極において、第2の電極において半導体に接触する金属材料は、第1の電極において半導体に接触する金属材料よりも、半導体に対する単位面積当たりの接触抵抗が高いことを特徴とする半導体発光素子用の電極。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/60 301 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/60 301 P ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-038198   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-280692   Applicant：昭和電工株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234684   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081948   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081949   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234685   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-124890   Applicant：日亜化学工業株式会社
• n型窒化物半導体の電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224913   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-187253   Applicant：三洋電機株式会社
• 電極と配線との組み合わせ構造およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000668   Applicant：沖電気工業株式会社
• オーミック電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-168550   Applicant：日本電気株式会社