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J-GLOBAL ID:200903083977155620
真空処理装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石島 茂男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001262726
Publication number (International publication number):2003071270
Application date: Aug. 31, 2001
Publication date: Mar. 11, 2003
Summary:
【要約】【課題】所定圧力のガス雰囲気を短時間で形成する。【解決手段】本発明の真空処理装置10は真空槽11を有しており、真空槽11にはガス導入系30と、ガス緩衝系40と、真空排気系20とが接続されている。予め、ガス緩衝系40のバッファタンク41には設定圧力のガスが溜めてあり、高真空状態にされた真空槽11とバッファタンク41とを接続すると、圧力差によりバッファタンク41のガスが真空槽11に流れ込み、真空槽11内の圧力が短時間で上昇する。
Claim (excerpt):
真空槽と、前記真空槽にそれぞれ接続された真空排気系と、ガス導入系とを有し、前記真空槽内に形成した真空雰囲気に処理対象物を置いた状態で、前記真空槽内にガスを導入して前記真空槽内に所定圧力のガス雰囲気を形成し、前記ガス雰囲気中で前記処理対象物を処理する真空処理装置であって、前記真空槽には、第一の開閉バルブを介して所定圧力のガスを導入可能なバッファタンクが接続された真空処理装置。
IPC (4):
B01J 3/00
, B01J 3/02
, C23C 14/00
, C23C 16/455
FI (4):
B01J 3/00 J
, B01J 3/02 K
, C23C 14/00 C
, C23C 16/455
F-Term (10):
4K029CA02
, 4K029CA04
, 4K029CA05
, 4K029DA01
, 4K029DA04
, 4K029EA03
, 4K030EA03
, 4K030JA09
, 4K030JA11
, 4K030KA08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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特開平2-180629
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放電処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-318154
Applicant:株式会社芝浦製作所
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特開昭62-106627
-
半導体装置の製造方法および製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-336268
Applicant:川崎製鉄株式会社
-
特開昭60-025232
-
基板処理装置のガス計測制御
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-546052
Applicant:ブルックスオートメーションインコーポレイテッド
-
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-389628
Applicant:シャープ株式会社
-
真空室用ガス導入装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-204050
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
特開昭63-062325
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