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J-GLOBAL ID：200903011132108657

センサ及び非平面撮像装置

Inventor： 斉藤 恵志 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005325368
Publication number (International publication number)：2006165530
Application date： Nov. 09, 2005
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよX線非平面イメージャ。【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとTFTを組み合わせて構成する。X線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりTFTを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は10^18/cm3未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

受容した電磁波を検知するセンサであって、 第1の電極と、第2の電極と、該第1及び第2の電極の間に設けられている非晶質酸化物層とを備えることを特徴とするセンサ。

IPC (5)：

H01L 31/026 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  C23C 14/08

FI (5)：

H01L31/08 M ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/14 C ,  H01L27/14 K ,  C23C14/08 K

F-Term (78)：

4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BD00 ,  4K029CA02 ,  4K029CA06 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA07 ,  4M118CA02 ,  4M118CA06 ,  4M118CA11 ,  4M118CA15 ,  4M118CB05 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA10 ,  4M118HA26 ,  4M118HA27 ,  5F088AA02 ,  5F088AA11 ,  5F088AB05 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088BB10 ,  5F088CA04 ,  5F088CA08 ,  5F088CA10 ,  5F088DA05 ,  5F088DA11 ,  5F088DA20 ,  5F088FA02 ,  5F088GA02 ,  5F088GA10 ,  5F088HA15 ,  5F088KA08 ,  5F088LA03 ,  5F088LA08 ,  5F110AA05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK11 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-096983   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (4)

• 酸化物半導体PN接合デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-278214   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 高感度受光素子及び光センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-096824   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 光電変換素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-260369   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208948   Applicant：ホーヤ株式会社