3族窒化物半導体発光素子の製造方法及びその装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996202997
Publication number (International publication number)：1998032348
Application date： Jul. 12, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】発光層を結晶性の良い単一又は多重の量子井戸構造とすること。【解決手段】同一反応室に設けられた、第1温度に加熱された第1加熱台20aと第2温度に加熱された第2加熱台20bとの間で成長基板1を移動させ、発光層のバリア層を形成する時には、成長基板を第1加熱台に移動させてバリア層を成長させ、発光層の井戸層を形成する時には成長基板を第2加熱台に移動させて井戸層を成長させるようにした。よって、相対的に高い温度へ移行するまでの昇温時間と相対的に低い温度へ移行するまでの降温時間とが必要でなくなるので、相対的に低い温度で成長させた井戸層が、相対的に高い温度で成長させる必要があるバリア層の成長温度にさらされる時間が短くて済むので、井戸層の結晶性が向上する。よって、バンド構造が急峻に変化する品質の良い量子井戸構造が得られる。

Claim (excerpt)：

発光層に3族窒素化物半導体の単一又は多重量子井戸構造を用いた発光素子の製造方法において、第1温度に加熱された第1加熱台と第2温度に加熱された第2加熱台とが、同一の反応室に形成され、前記第1加熱台と前記第2加熱台との間で前記成長基板を移動可能とした成長装置を用いて、前記発光層のバリア層を形成する時には、前記成長基板を前記第1加熱台に移動させて、前記バリア層を成長させ、前記発光層の井戸層を形成する時には、前記成長基板を前記第2加熱台に移動させて、前記井戸層を成長させることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭62-202514
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-323250 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社

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