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J-GLOBAL ID：200903047188278525

窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置

Inventor：
奥村 敏之

About 奥村 敏之


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998220221
Publication number (International publication number)：2000058915
Application date： Aug. 04, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、光ディスク等の光ピックアップの光学系に光源として組み込むことが可能な、良好な雑音特性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 基板上に、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性層を形成した半導体レーザ素子において、前記基板と、基板側に存在するクラッド層との間に、エネルギーギャップが活性層とほぼ同じか、または、活性層よりも小さい半導体からなる光吸収層を設ける。
Claim (excerpt)：
基板上に、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれ、窒化物半導体からなる活性層を形成した半導体レーザ素子において、前記基板と基板側に存在するクラッド層との間に、エネルギーギャップが活性層とほぼ同じか、または、活性層よりも小さい半導体からなる光吸収層を設けたことを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
F-Term (13)：
5F041AA09 ,  5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041FF16 ,  5F073AA51 ,  5F073AA63 ,  5F073AA71 ,  5F073BA04 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073EA26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-011459   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-235012   Applicant：ローム株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-188569   Applicant：ソニー株式会社
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Cited by examiner (6)
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