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J-GLOBAL ID：200903011914152418

半導体基板及び半導体基板の製造方法

Inventor：
山内 庄一

About 山内 庄一

, 
松井 正樹

About 松井 正樹

, 
大島 久純

About 大島 久純


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 佐藤 強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998147939
Publication number (International publication number)：1999097379
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 信頼性の向上を実現した半導体基板を提供すること、並びに高品質の半導体基板を歩留まりの低下を来たすことなく製造できるようにすること。【解決手段】 (a)単結晶シリコン基板11上に汚染保護膜12を形成する保護膜形成工程、(b)単結晶シリコン基板11にイオン注入層13を形成するイオン注入工程、(c)汚染保護膜12を除去する保護膜除去工程、(d)ベース基板14上に絶縁膜15を形成する絶縁膜形成工程、(e)・(f)単結晶シリコン基板11のイオン注入側の表面並びにベース基板14側の絶縁膜15の表面に親水化処理を施す親水化処理工程、(g)単結晶シリコン基板11及びベース基板14を親水化処理面で貼り合わせる貼り合わせ工程、(h)熱処理により単結晶シリコン基板11をイオン注入層13部分で剥離して単結晶シリコン薄膜11bを形成する剥離工程などを行い、SOI基板16を完成させる。
Claim (excerpt)：
ベース基板(14)上に、当該ベース基板(14)と電気的に絶縁した状態で素子形成用の半導体層(11b)を設けて成る半導体基板(16)であって、前記ベース基板(14)上に、所定深さにイオン注入層(13)が形成された半導体基板材料(11)のイオン注入側の面を貼り合わせ、この貼り合わせ状態で熱処理を行うことにより、前記半導体基板材料(11)を前記イオン注入層(13)により形成される欠陥層領域部分で剥離して前記半導体層(11b)を形成するようにした半導体基板(16)において、前記半導体層(11b)と前記ベース基板(14)とが、直接または自然酸化膜(11a、14a)を介して接合されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (2)：
H01L 21/265 ,  H01L 27/12
FI (2)：
H01L 21/265 Q ,  H01L 27/12 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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