半導体装置及びその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008200670
Publication number (International publication number)：2009021612
Application date： Aug. 04, 2008
Publication date： Jan. 29, 2009
Summary：

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H01L 21/20

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/78 627G , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H01L21/20

F-Term (133)：

2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB33 , 2H092JB42 , 2H092JB58 , 2H092JB65 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA08 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA26 , 2H092NA29 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107HH05 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF22 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP11 , 5F110PP13 , 5F110PP15 , 5F110PP29 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F152BB01 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152BB04 , 5F152CC01 , 5F152CC02 , 5F152CC04 , 5F152CD02 , 5F152CD03 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CE01 , 5F152CE12 , 5F152CE14 , 5F152CE24 , 5F152CE32 , 5F152EE14 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF17 , 5F152FF35 , 5F152FF39 , 5F152FF43 , 5F152FF44 , 5F152FF45 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG03 , 5F152FG13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

トランジスタ及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-326889 Applicant：科学技術振興事業団

Cited by examiner (6)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-334406 Applicant：カシオ計算機株式会社
半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-079273 Applicant：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-061985 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男

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