プラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小原肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002104160
Publication number (International publication number)：2003264170
Application date： Apr. 05, 2002
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】シリコン含有膜(バリア層)上の絶縁膜をエッチングした後、そのまま、絶縁膜上のレジストをアッシングすれば、エッチング工程で生じて処理容器内の物(部品)に付着した副生成物から、バリア層に対して反応活性な物質(フッ素ラジカル等)が発生し、バリア層もエッチングされてしまう。【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、バリア層上の絶縁膜をエッチングした後で、レジストのアッシング前に、処理容器内のクリーニングを行う。また、バリア層上の絶縁膜のエッチングと、レジストのアッシングを別の処理容器内で行う。また、N2にH2を少量添加したガスのプラズマでレジストのアッシング行う。

Claim (excerpt)：

処理容器内に導入したフッ素を含むガスをプラズマ化し、被処理体中のシリコン含有膜上にある膜を、この膜上にあるマスクのパターンを介してエッチングして上記シリコン含有膜を露出させる工程と、上記処理容器内の物に付着したフッ素を含有する副生成物を除去する工程と、上記処理容器内で上記マスクを除去する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。

F-Term (23)：

5F004AA13 , 5F004BA08 , 5F004BB08 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BC02 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DA30 , 5F004DB03 , 5F004EA23 , 5F004EB03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-163047 Applicant：株式会社東芝
デュアルダマシン配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-363555 Applicant：日本電気株式会社
パターンエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-311147 Applicant：ソニー株式会社

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