微細パターンの転写加工方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：渡邉勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998136146
Publication number (International publication number)：1999317345
Application date： Apr. 30, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】光の波長以下の微細な線幅の二次元的なパターンを、高いアスペクト比で形成可能な微細パターンの転写加工方法を提供する。【解決手段】加工対象の基板11に2層以上の材料12,13をコーティングして、最上層の材料12は光17の波長以下の膜厚の感光性材料であり、近接場露光パターン15を有するマスク16を感光性材料と密着するか又は光の波長以下に近接して配置することによりエバネッセント場18を利用した露光を行い、現像によりマスク16の近接場露光パターン15の転写パターン12aを感光性材料により形成し、感光性材料の転写パターンをマスク16として下層の材料の加工を行い、下層の材料による転写パターン13aを形成し、更に下層の材料の転写パターンをマスク16として加工対象の基板11の加工を行い、基板11に近接場露光パターン15の転写パターン11aを形成する。

Claim (excerpt)：

加工対象の基板に2層以上の材料をコーティングして、最上層の材料は光の波長以下の膜厚の感光性材料であり、近接場露光パターンを有するマスクを前記感光性材料と密着するか又は光の波長以下に近接して配置することによりエバネッセント場を利用した露光を行い、現像により前記マスクの近接場露光パターンの転写パターンを前記感光性材料により形成し、該感光性材料の転写パターンをマスクとして下層の材料の加工を行い、該下層の材料による転写パターンを形成し、更に該下層の材料の転写パターンをマスクとして前記加工対象の基板の加工を行い、前記基板に前記近接場露光パターンの転写パターンを形成することを特徴とする微細パターンの転写加工方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 502 , G03F 7/20 502 , G21K 5/02 , H01L 21/3065

FI (7)：

H01L 21/30 509 , G03F 7/11 502 , G03F 7/20 502 , G21K 5/02 Z , H01L 21/30 505 , H01L 21/30 573 , H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-319781 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-045534
特開昭58-114433

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