バイポーラ型半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 鈴木亨 , 八本佳子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005211296
Publication number (International publication number)：2007027630
Application date： Jul. 21, 2005
Publication date： Feb. 01, 2007
Summary：

【課題】炭化珪素バイポーラ型半導体装置において、通電を続けることにより生じる積層欠陥の発生および積層欠陥の面積拡大を抑制すること。【解決手段】化学気相蒸着法によって第1導電型の炭化珪素単結晶基板1の表面から成長させた第1導電型の炭化珪素エピタキシャル膜2における少なくとも種欠陥密度が高い表層4を除去した後、表層4を除去した炭化珪素エピタキシャル膜2の表面から第2導電型の炭化珪素エピタキシャル膜3を成長させる。また、第2導電型の炭化珪素エピタキシャル膜3を成長させた後、この第2導電型の炭化珪素エピタキシャル膜3における少なくとも種欠陥密度が高い表層6を除去する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の炭化珪素単結晶基板と、化学気相蒸着法によって前記第1導電型の炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた第1導電型の炭化珪素エピタキシャル膜における少なくとも種欠陥密度が高い表層が除去された第1導電型の炭化珪素エピタキシャル膜と、前記表層が除去された第1導電型の炭化珪素エピタキシャル膜の上に形成された第2導電型の炭化珪素エピタキシャル膜と、を備えることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/861 , H01L 29/161 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 29/74 , H01L 29/744 , H01L 21/336

FI (7)：

H01L29/91 F , H01L29/161 , H01L29/78 652H , H01L29/78 655Z , H01L29/74 F , H01L29/74 C , H01L29/78 658E

F-Term (3)：

5F005AD01 , 5F005AH02 , 5F005BA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

国際公開WO03/038876号パンフレット

Cited by examiner (6)

炭化珪素半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-405259 Applicant：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所
炭化珪素膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-322331 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体及び半導体基板、その製造方法、並びに半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-364009 Applicant：HOYAアドバンスドセミコンダクタテクノロジーズ株式会社

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