GaN系量子ドット構造の製造方法およびその用途

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998155841
Publication number (International publication number)：1999354840
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来のGaN系量子ドット構造の製造方法に比べて、より工程の簡略化された新たなGaN系量子ドット構造の製造方法を提供し、さらにこれを半導体発光素子の製造方法に応用すること。【解決手段】 GaN系材料からなるベース層Bの上面(ベース面)の表面状態をアンチサーファクタントSによって変化させ、3元以上の組成を有しかつ特定の格子整合性を有するGaN系材料を、気相成長法にて原料ガスaとしてベース面に供給する。これだけで、供給したGaN系材料とは異なる組成比のGaN系材料からなり、ベース面上に分散する量子ドットdと、供給したGaN系材料と同じ組成比のGaN系材料からなり量子ドットdを埋め込んでベース面上に成長するキャップ層Cとが形成され、GaN系量子ドット構造が得られる。

Claim (excerpt)：

GaN系材料からなる結晶層をベース層とし、該ベース層の上面をベース面として、該ベース面の表面状態をアンチサーファクタントによって変化させ、3元以上の組成を有しかつ下記(i)の格子整合性を有するGaN系材料(A)を、気相成長法にてベース面に供給することによって、供給したGaN系材料(A)とは異なる組成比のGaN系材料からなり、ベース面上に分散する量子ドットと、供給したGaN系材料(A)と同じ組成比のGaN系材料からなり、前記量子ドットを埋め込んでベース面上に成長する結晶層とを、形成する工程を有することを特徴とするGaN系量子ドット構造の製造方法。(i)ベース面の表面状態を変化させるような表面処理を施すことなく、該ベース面上にGaN系材料(A)を直接的に結晶成長させたとき、該ベース面上に膜状に結晶成長し得るような、ベース層のGaN系材料に対する格子整合性。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-233442 Applicant：理化学研究所, 田中悟
窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290218 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-294711 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (5)

量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-233442 Applicant：理化学研究所, 田中悟
窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290218 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-294711 Applicant：日亜化学工業株式会社

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