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J-GLOBAL ID：200903013640232579

光波長変換素子およびその作製方法

Inventor：
二瓶 靖和

About 二瓶 靖和

, 
納谷 昌之

About 納谷 昌之


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999293802
Publication number (International publication number)：2001142101
Application date： Oct. 15, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：
【要約】【課題】 極めて短周期の周期ドメイン反転構造を有する光波長変換素子を作製する。【解決手段】 単分極化された非線形光学効果を有する強誘電体10の一表面10aに周期電極13aを形成した後、この周期電極13aを介して強誘電体10に電場を印加し、該強誘電体10の電極13aに対向する部分を局部的なドメイン反転部とする、周期ドメイン反転構造を有する光波長変換素子の作製方法において、前記強誘電体10の一表面10a上に光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性のレジスト層11を形成し、照射光を受けて周期パターンの近接場光Lnを発生させる手段12により、レジスト層11にこの近接場光Lnを照射する。そして、このレジスト層11を現像することにより周期パターン11aを形成し、この周期パターン11aをマスクとして、該マスクの開口部分において強誘電体10の一表面10a上に周期電極13aを形成する。
Claim (excerpt)：
単分極化された非線形光学効果を有する強誘電体の一表面に周期電極を形成した後、この周期電極を介して前記強誘電体に電場を印加し、該強誘電体の前記電極に対向する部分を局部的なドメイン反転部とする、周期ドメイン反転構造を有する光波長変換素子の作製方法において、前記強誘電体の一表面上に光照射による照射部分のみまたは非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性のレジスト層を形成し、照射光を受けて周期パターンの近接場光を発生させる手段により、前記レジスト層にこの近接場光を照射し、このレジスト層を現像することにより該レジスト層に周期パターンを形成し、このレジスト層の周期パターンをマスクとして、該マスクの開口部分において前記強誘電体の一表面上に周期電極を形成することを特徴とする光波長変換素子の作製方法。
IPC (2)：
G02F 1/37 ,  G02F 1/377
FI (2)：
G02F 1/37 ,  G02F 1/377
F-Term (5)：
2K002AB12 ,  2K002CA03 ,  2K002FA17 ,  2K002FA27 ,  2K002HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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