Pat
J-GLOBAL ID：200903014486762086

半導体装置

Inventor：
山下 恭司

About 山下 恭司


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999086501
Publication number (International publication number)：2000277627
Application date： Mar. 29, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 相対的に高い電源電圧及び相対的に低い電源電圧からなる2系統の内部電源電圧を持つ半導体装置に対して低消費電力化及び動作の高速化を実現できるようにする。【解決手段】 第1のCMOSインバータ11は、ゲート長が0.18μm、電源電圧が1.8V、ゲート酸化膜厚が4.0nmのP型及びN型の第1のトランジスタTr1が用いられ、第2のCMOSインバータ12は、ゲート長が0.18μm、電源電圧が1.8V、ゲート酸化膜厚が7.0nmのP型及びN型の第4のトランジスタTr4が用いられ、第3のCMOSインバータ13は、ゲート長が0.35μm、電源電圧が3.3V、ゲート酸化膜厚が7.0nmのP型及びN型の第3のトランジスタTr3が用いられている。
Claim (excerpt)：
一の基板に形成され、電圧が相対的に低い第1の電源電圧又は相対的に高い第2の電源電圧により駆動される多数の電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、前記多数の電界効果トランジスタのうちゲート長が最も小さい群に属する電界効果トランジスタは、膜厚が相対的に小さい第1のゲート絶縁膜を有する第1の電界効果トランジスタと、膜厚が相対的に大きい第2のゲート絶縁膜を有する第2の電界効果トランジスタとを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4)：
H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/08 321 K ,  H01L 27/10 671 Z
F-Term (23)：
5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB16 ,  5F048BB18 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F083AD10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083LA26 ,  5F083PR44 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM