窒化物半導体レーザ装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：佐野静夫 , 山田茂樹 , 小寺淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003120130
Publication number (International publication number)：2004327705
Application date： Apr. 24, 2003
Publication date： Nov. 18, 2004
Summary：

【課題】窒化物半導体基板上に窒化物半導体を積層した半導体レーザ素子を備えるレーザ装置におけるワイヤーボンディングよる素子の劣化を防止する。【解決手段】半導体積層構造上面に設けた電極(113)へのワイヤー(301)のボンディング位置を、基板の転位(結晶欠陥)集中領域(X)の上方から外す。基板の転位集中は積層構造にも伝搬して、積層構造にも、基板の転位集中領域の上方に位置する部位に、転位の集中した領域が生じる。この領域の上方をワイヤーのボンディング位置とすると、ボンディング時の圧力により電極材料である金属が転位の集中に沿って拡散して、積層構造の質が低下し、素子の劣化を招く。転位集中領域(X)の上方以外の部位をボンディング位置とすることで、劣化が防止される。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

III族窒化物半導体より成る基板、基板の上面に設けられたIII族窒化物半導体より成る積層構造、および積層構造の上面に設けられた電極を有する半導体レーザ素子、半導体レーザ素子を固定する支持基台、ならびに電極に接続され半導体レーザ素子に駆動電流を供給するワイヤーを備える窒化物半導体レーザ装置において、基板が上面から下面に貫通する転位集中領域と転位集中領域を除いた領域である低転位領域を有し、積層構造がストライプ状のレーザ光導波領域を基板の低転位領域の上方に有し、半導体レーザ素子が基板側を支持基台に向けて支持基台に固定され、ワイヤが基板の低転位領域の上方で電極に接続されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S5/323 , H01L21/205

FI (2)：

H01S5/323 610 , H01L21/205

F-Term (19)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF20 , 5F045BB16 , 5F045DA67 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073EA28 , 5F073FA27 , 5F073HA02 , 5F073HA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

GaN系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-307677 Applicant：三菱電線工業株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-085198 Applicant：日本電気株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-117685 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Yellow and green luminescence in a freestanding GaN template

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