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J-GLOBAL ID：200903014910867489

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
中島 安理

About 中島 安理


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (2)： 平山 一幸 ,  海津 保三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002158788
Publication number (International publication number)：2004006455
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】ALD法による窒化珪素分子層を用いるゲート絶縁膜構造を有する半導体デバイスにおいて、不純物の再拡散が少なく、ボロン突き抜けが抑制され、直接トンネル・リーク電流が小さい半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板2に形成されたソース領域3とドレイン領域4と、シリコン基板上に形成されたゲート絶縁膜5とゲート電極8とソース電極3Aとドレイン電極4Aとを備えた半導体装置であって、ゲート絶縁膜5が、シリコン基板2上に形成されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜の何れか1つの絶縁膜6上に形成された窒化珪素分子層7とからなる。あるいは、ゲート絶縁膜5が、シリコン基板2上に形成された窒化珪素分子層7からなる。低温プロセスで窒化珪素分子層7の誘電率を7以上にし、かつ、欠陥密度を小さくすることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板に形成されたソース領域とドレイン領域と、シリコン基板上に形成されたソース電極とドレイン電極とゲート絶縁膜とゲート電極と、を備えた半導体装置であって、 上記ゲート絶縁膜が、シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜,シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜の何れか1つの絶縁膜、及び該絶縁膜上に形成された窒化珪素分子層とから形成されることを特徴とする、半導体装置。
IPC (9)：
H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (6)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/31 B ,  H01L21/318 B ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
F-Term (77)：
5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD09 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DC51 ,  5F045DC63 ,  5F045DP04 ,  5F045EE19 ,  5F045EK06 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD11 ,  5F083EP42 ,  5F083EP44 ,  5F083EP45 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083PR21 ,  5F101BA23 ,  5F101BA29 ,  5F101BA34 ,  5F101BA35 ,  5F101BH04 ,  5F101BH05 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG27 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140CC11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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