単結晶SiCの育成方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江孝一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000230953
Publication number (International publication number)：2002047100
Application date： Jul. 31, 2000
Publication date： Feb. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、純度も高くて非常に高品質、高性能な単結晶SiCを高速度に成長させることができる単結晶SiCの育成方法を提供する。【解決手段】種結晶となる6H-SiC単結晶基板1を二枚の3C-SiC多結晶板2,2に挟み込ませて重ね合わせた三層の複合板3をグラファイト製坩堝4に収容のSi融液5中に浸漬するように坩堝4内に挿入設置し、この状態で抵抗加熱式高温炉10を用いて2000〜2400°Cの高温で30分〜1時間に亘り加熱し保持するといった熱処理を施すことにより、上部の3C-SiC多結晶板2から流れ出すC原子をSi融液層を通して6H-SiC単結晶基板1に供給して、該基板1上に6H-SiC単結晶をエピタキシャル成長させる。

Claim (excerpt)：

種結晶となるSiC単結晶基板にSiC多結晶板を重ね合わせ、その重ね合わせ複合板をグラファイト製容器に収容のSi融液中に浸漬した状態で高温熱処理することにより、SiC多結晶板から流れ出すC原子をSi融液層を通してSiC単結晶基板に供給して、このSiC単結晶基板上にSiC単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする単結晶SiCの育成方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 , H01L 21/208

FI (2)：

C30B 29/36 A , H01L 21/208 D

F-Term (16)：

4G077AA03 , 4G077BE18 , 4G077CC10 , 4G077EA01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 5F053AA03 , 5F053AA50 , 5F053BB04 , 5F053DD02 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053LL02 , 5F053RR03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭63-156095
特開平3-023287
特開平4-193798

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