半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 箱崎幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004054330
Publication number (International publication number)：2005244072
Application date： Feb. 27, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

【課題】ゲートリーク電流の小さいノーマリーオフ型の窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】組成式AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表わされるチャネル層2と、チャネル層2の上に形成され、組成式AlyGa1-yN(0≦y≦1、x<y)により表わされるn型バリア層4と、バリア層4に電気的に接続されたソース電極12およびドレイン電極14を備えるHFET210において、組成式AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表わされるp型のベース層をn型バリア層4上に選択的に形成し、n型バリア層4上にゲート電極16を配設し、さらに、ゲート・ドレイン間距離Lgd1を、ゲート・ソース間距離Lgs1よりも長くする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

組成式AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表わされる第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、組成式AlyGa1-yN(0≦y≦1、x<y)により表わされる第1導電型またはノンドープの第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に選択的に形成され、組成式AlxGa1-xN(0≦x≦1)により表わされる第2導電型の第3の半導体層と、前記第3の半導体層の上に形成されたゲート電極と、前記第2の半導体層に電気的に接続されたソース電極と、前記第2の半導体層に電気的に接続されたドレイン電極と、を備え、前記ドレイン電極と前記第3の半導体との間隔は、前記ソース電極と前記第3の半導体層との間隔よりも広い、半導体装置。

IPC (6)：

H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812

FI (3)：

H01L29/80 C , H01L29/78 301B , H01L29/80 H

F-Term (41)：

5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD05 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR06 , 5F102GR12 , 5F140AA19 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BB01 , 5F140BB03 , 5F140BB06 , 5F140BB11 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BC13 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BF43 , 5F140BF44 , 5F140BH02 , 5F140BH30 , 5F140BJ00 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ25 , 5F140CD09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開P2001-230407号公報
特開P2003-142501号公報
米国特許第6,521,961号公報

Show all

Cited by examiner (7)

高移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-057070 Applicant：古河電気工業株式会社
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-019488 Applicant：住友電気工業株式会社
特開昭58-170070

Show all

Return to Previous Page