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J-GLOBAL ID：200903015374837586

窒化物系化合物半導体の製造方法及び窒化物系化合物半導体ウェハ並びに窒化物系化合物半導体デバイス

Inventor：
藤倉 序章

About 藤倉 序章

, 
森島 嘉克

About 森島 嘉克


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 川澄 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001379407
Publication number (International publication number)：2003178987
Application date： Dec. 13, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：
【要約】【課題】高濃度の正孔濃度を有し表面の平坦性の高いp型窒化物系化合物半導体の量産性の高い製造方法と、これにより得られる半導体ウェハおよび半導体デバイスを得る。【解決手段】少なくともアクセプタ原子を含むp層を有する窒化物系化合物半導体積層構造の形成を気相成長する窒化物化合物半導体の製造方法において、成長終了後の冷却を、解離による窒素放出時に水素を放出しない窒素原料(例えばトリメチルヒドラジン)雰囲気中で行うか、又は解離による窒素放出時に水素を放出しない窒素原料雰囲気と不活性ガスの混合気体中で行う。
Claim (excerpt)：
少なくともアクセプタ原子を含むp層を有する窒化物系化合物半導体の積層構造の形成を気相成長により行う窒化物系化合物半導体の製造方法において、成長終了後の冷却を、解離による窒素放出時に水素を放出しない窒素原料雰囲気中で行うことを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (33)：
5F041AA24 ,  5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA66 ,  5F073CA02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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