p型窒化物半導体及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999293319
Publication number (International publication number)：2001119065
Application date： Oct. 15, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】成長後のアニーリングを行なうことなく良質なp型窒化物半導体を得られるようにする。【解決手段】基板温度を約1050°Cにまで昇温した後、流量が約13L/分の窒素ガス及び流量が約3L/分の水素ガスをキャリアガスとし、流量が約4L/分のアンモニアガスと、流量が約80μmol/分のTMGと、流量が約0.2μmol/分でCp2Mgとを基板11上に約60分間導入することにより、バッファ層12上に、厚さが2μmでMgがドープされたGaNからなるp型窒化物半導体層13を成長させる。その後、基板温度を成長温度の1050°C付近から600°C付近にまで5分間掛けて冷却する。これにより、正孔キャリア濃度が1.2×1017cm-3のp型窒化物半導体を得る。

Claim (excerpt)：

温度が約600°Cを越える基板温度で保持された基板の上に、p型ドーパントを含む窒素源及びIII 族源を導入することにより、前記基板上に低抵抗のp型窒化物半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記p型窒化物半導体層が形成された基板を冷却する冷却工程とを備え、前記半導体層形成工程は、雰囲気に前記p型ドーパントの不活性化を抑制できる程度の水素を含み、前記冷却工程は、前記p型窒化物半導体層の正孔キャリア濃度がその低抵抗性を維持できる程度に減少する冷却時間で前記p型窒化物半導体層を冷却することを特徴とするp型窒化物半導体の製造方法。

F-Term (10)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化ガリウム結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-191492 Applicant：日立電線株式会社
III族窒化物半導体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-119633 Applicant：昭和電工株式会社
窒化物半導体の低抵抗化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-039462 Applicant：日亜化学工業株式会社

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