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J-GLOBAL ID：200903015391734243

PLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物及びPLCSZT強誘電体薄膜の形成方法

Inventor：
曽山 信幸

About 曽山 信幸

, 
庄内 学

About 庄内 学


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177119
Publication number (International publication number)：2001010819
Application date： Jun. 23, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 長期保存安定性に優れたPLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物と、このPLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物を用いたPLCSZT強誘電体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 Pb,La,Ca,Sr,Zr及びTiの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び/又は有機酸塩を含むペロブスカイト型PLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物において、水分含有量が0.8重量%以下であるPLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物。このPLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を所望の厚さの膜が得られるまで繰り返し、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に膜を結晶化温度以上で焼成するPLCSZT強誘電体薄膜の形成方法。
Claim (excerpt)：
ペロブスカイト型PLCSZT強誘電体薄膜を形成するための有機金属化合物溶液よりなるPLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物において、水分含有量が0.8重量%以下であることを特徴とするPLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物。
IPC (2)：
C01G 25/00 ,  C23C 18/12
FI (2)：
C01G 25/00 ,  C23C 18/12
F-Term (18)：
4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AE08 ,  4K022AA01 ,  4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022BA15 ,  4K022BA17 ,  4K022BA22 ,  4K022BA26 ,  4K022BA27 ,  4K022BA28 ,  4K022DA06 ,  4K022EA01 ,  4K022EA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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