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J-GLOBAL ID：200903015603397080

ウェハの分断方法およびチップ

Inventor：
田村 宗生

About 田村 宗生


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 田下 明人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006057336
Publication number (International publication number)：2007235008
Application date： Mar. 03, 2006
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：
【課題】ウェハを複数個のチップに切断分離する際に異物(切削屑や冷却洗浄水)がウェハ内に入り込むのを防止することが可能なチップを高スループットかつ低コストに提供する。【解決手段】キャップ16の表面16bにシールフィルムSFを貼着し、ウェハ10の裏面10aを上向きにした状態で、高速回転するダイシングブレードDBにより裏面10a側から切削し、切断予定ラインKaに沿って切込部分10fを形成した後に、キャップ16の表面16bからシールフィルムSFを取り外す。このとき、ウェハ10をその厚さ方向に完全には切断分離せず、ウェハ10の表面10bから所定厚さτの部分10gだけは切削せずに残しておく。切込部分10fの幅ρは、ダイシングブレードDBの厚みとほぼ等しくなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1層の表面上に第2層が積層された2層構造のウェハをその積層方向に切断分離するウェハの分断方法であって、 前記第2層の表面と、前記第2層から露出している前記第1層の表面とを覆って液密状態にするための覆設部材を設ける第1工程と、 前記第1層の裏面側をダイシングブレードで切削することにより、前記ウェハの切断予定ラインに沿って切り込まれた切込部分を前記第1層の裏面側に形成する第2工程と、 前記覆設部材を取り外した後に、前記第2層の表面からその内部へ集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記第2層の内部に、多光子吸収による少なくとも1層の改質領域を形成する第3工程と、 前記改質領域を切断の起点とした割断により、前記第1層および前記第2層を前記切断予定ラインに沿って切断分離する第4工程と を備えたことを特徴とするウェハの分断方法。
IPC (4)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40
FI (8)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 V ,  H01L21/78 F ,  H01L21/78 B ,  B23K26/00 D ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/00 H
F-Term (4)：
4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CD01 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特許第3408805号公報(第2〜16頁 図1〜図32)
  • レーザ加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278663   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
  • レーザ加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-280377   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
Cited by examiner (3)

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