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J-GLOBAL ID：200903015792544978

窒化物半導体発光素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法

Inventor：
川口 佳伸

About 川口 佳伸

, 
神川 剛

About 神川 剛


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006329465
Publication number (International publication number)：2007189207
Application date： Dec. 06, 2006
Publication date： Jul. 26, 2007
Summary：
【課題】信頼性を向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体レーザ素子の製造方法と、を提供する。【解決手段】光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、光出射部は窒化物半導体からなり、光出射部に接するコート膜が光出射部側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなる窒化物半導体発光素子である。また、共振器端面にコート膜が形成されている窒化物半導体レーザ素子を製造する方法であって、劈開により共振器端面を形成する工程と、共振器端面に共振器端面側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなるコート膜を形成する工程と、を含む、窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、前記光出射部は窒化物半導体からなり、前記光出射部に接するコート膜が前記光出射部側の酸窒化物膜と前記酸窒化物膜上の酸化物膜とからなることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (3)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/028 ,  H01L 21/318
FI (3)：
H01S5/323 610 ,  H01S5/028 ,  H01L21/318 C
F-Term (20)：
5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC20 ,  5F058BF13 ,  5F058BJ07 ,  5F173AA08 ,  5F173AF95 ,  5F173AH22 ,  5F173AL04 ,  5F173AL13 ,  5F173AL14 ,  5F173AL19 ,  5F173AP76 ,  5F173AP78 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ06 ,  5F173AQ11 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR68 ,  5F173AR96
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 半導体レーザ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-322759   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-034910   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 特開平3-209895号公報
Cited by examiner (5)
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