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J-GLOBAL ID：200903044423979057

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
藤村 康史

About 藤村 康史


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004159463
Publication number (International publication number)：2005340625
Application date： May. 28, 2004
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：
【課題】キンクを大幅に低減させ、高出力時の信頼性と低出力時の使い易さを両立させ得る大きなダイナミックレンジを有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】窒化物からなるn型半導体層11〜14、活性層15およびp型半導体層16〜19が積層された積層半導体層と、n型半導体層とp型半導体層で活性層を挟む導波路領域に対してほぼ垂直な端面に位置する出射側のレーザミラーおよび反射側のレーザミラーとを具備する窒化物半導体レーザ素子であって、活性層は、青紫色〜緑色を含む波長領域内で発光が可能であり、フロント側のレーザミラーの反射率は60%以下である。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
窒化物半導体からなる第1導電型の半導体層、活性層および第2導電型の半導体層が積層された積層半導体層と、前記活性層と該活性層を挟む第1導電型の半導体層および第2導電型の半導体層からなるレーザ光の導波路領域に対してほぼ垂直な端面に位置するフロント側のレーザミラーおよびリア側のレーザミラーとを具備する窒化物半導体レーザ素子であって、前記活性層は、InxAlyGa1-x-yN(0.05≦x≦0.25、0≦y≦0.95、0.05≦x+y≦1)であり、前記フロント側のレーザミラーの反射率は60%以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S5/028 ,  H01S5/343
FI (2)：
H01S5/028 ,  H01S5/343
F-Term (10)：
5F173AA08 ,  5F173AG20 ,  5F173AH22 ,  5F173AL04 ,  5F173AL05 ,  5F173AL06 ,  5F173AL07 ,  5F173AL13 ,  5F173AP06 ,  5F173AR15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (19)
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