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J-GLOBAL ID:200903016134427867

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997013133
Publication number (International publication number):1998195179
Application date: Jan. 08, 1997
Publication date: Jul. 28, 1998
Summary:
【要約】【解決手段】 (A)結晶性をもち、かつ、メタクレゾールに30重量%の濃度で溶解させた場合の25°Cの粘度が80cp以下であるエポキシ樹脂、(B)分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する硬化剤:エポキシ樹脂中のエポキシ基と該硬化剤中のフェノール性水酸基とのモル比を0.5〜0.9とする量、(C)シリカ:組成物全体の89〜92重量%を含有してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【効果】 本発明の難燃性エポキシ樹脂組成物は、三酸化アンチモン及び臭素化合物などの難燃剤を添加せずに難燃グレードUL-94V-0を達成することができ、高温放置特性を向上させることができる。本発明の半導体装置は難燃性、高温放置特性に優れ、信頼性が高いものである。
Claim (excerpt):
(A)結晶性をもち、かつ、メタクレゾールに30重量%の濃度で溶解させた場合の25°Cの粘度が80cp以下であるエポキシ樹脂、(B)分子内に2個以上のフェノール性水酸基を有する硬化剤:エポキシ樹脂中のエポキシ基と該硬化剤中のフェノール性水酸基とのモル比を0.5〜0.9とする量、(C)シリカ:組成物全体の89〜92重量%を含有してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (5):
C08G 59/40 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4):
C08G 59/40 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 23/30 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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