レジスト下層膜用組成物

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999163215
Publication number (International publication number)：2000356854
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】レジストと反射防止膜の間に設け、レジストとの密着性と耐レジスト現像液性を兼ね揃え、更にはレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性の有るレジスト下層用組成物を得る。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2)で表される化合物R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方ならびに(B)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。

Claim (excerpt)：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2)で表される化合物R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方ならびに(B)紫外光照射および/または加熱により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト下層膜用組成物。

IPC (7)：

G03F 7/11 503 , C08K 5/541 , C08L 83/04 , C08L 83/14 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/11 503 , C08L 83/04 , C08L 83/14 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 511 , C08K 5/54 , H01L 21/30 573

F-Term (30)：

2H025AA00 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AA08 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025DA35 , 4J002CP021 , 4J002CP031 , 4J002CP051 , 4J002CP081 , 4J002CP091 , 4J002CP141 , 4J002EB106 , 4J002EN136 , 4J002EU186 , 4J002EV216 , 4J002EV236 , 4J002EV296 , 4J002EV326 , 4J002EW176 , 4J002FD206 , 4J002GP03 , 4J002HA05 , 4J002HA08 , 5F046HA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

コーティング用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-296953 Applicant：東レ株式会社
酸化ケイ素系被膜形成用塗布液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-244052 Applicant：東京応化工業株式会社
酸化物被膜形成用塗布液並びに酸化物被膜及び半導体装置の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338327 Applicant：日立化成工業株式会社

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Cited by examiner (9)

コーティング用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-296953 Applicant：東レ株式会社
三層レジスト法によるパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-307627 Applicant：沖電気工業株式会社
酸化ケイ素系被膜形成用塗布液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-244052 Applicant：東京応化工業株式会社

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