発光素子の製造方法及び発光装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：逢坂宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001312232
Publication number (International publication number)：2003124513
Application date： Oct. 10, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】小面積かつ低抵抗な発光素子及び表示装置を工数少なくして製造することができる方法を提供すること。【解決手段】開口部43aを有するマスク層43を基板31上に形成した後、開口部43aに加熱処理によるボイド60の生成等の素子剥離促進処理を施し、例えば、このボイド60上に窒化ガリウム層12を結晶成長させ、この結晶層12をレーザ光66の照射によるボイド60に対する衝撃力で剥離して、発光素子62を作製する。更に、この剥離によって得られた発光素子62を絶縁層39に埋設し、この絶縁層39に発光素子62に接続された電極パッド68d、69dを形成した後、この電極パッドを含む発光素子ユニット70をダイシングにより作製し、この発光素子ユニット70を駆動回路基板50に接続固定することによって、表示装置を製造する。

Claim (excerpt)：

開口部を有するマスク層を基体上に形成する工程と、前記開口部に素子剥離促進処理を施す工程と、この処理領域上に発光素子構成材料を結晶成長させる工程と、これによって得られた結晶層を前記処理領域上にて剥離する工程とを有する、発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , G09F 9/33

FI (2)：

H01L 33/00 C , G09F 9/33 Z

F-Term (19)：

5C094AA15 , 5C094AA43 , 5C094BA25 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5F041AA24 , 5F041AA47 , 5F041CA04 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA62 , 5F041CA77 , 5F041CA84 , 5F041CA99 , 5F041DA32 , 5F041FF01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-065141 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-272286 Applicant：株式会社東芝
特開昭58-050577

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