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J-GLOBAL ID：200903016429580462

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
冬木 隆

About 冬木 隆

, 
浦岡 行治

About 浦岡 行治

, 
山下 一郎

About 山下 一郎


Applicant, Patent owner：
国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学

About 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学

, 
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (10)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005084382
Publication number (International publication number)：2006269660
Application date： Mar. 23, 2005
Publication date： Oct. 05, 2006
Summary：
【課題】量子ドット体として機能する微粒子の酸化がより確実に抑制された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置20は、半導体基板1と、半導体基板1上に設けられたトンネル絶縁膜3と、トンネル絶縁膜3上に間隔を空けて配置された酸化数が増加しない酸化物半導体からなる微粒子4と、トンネル絶縁膜3上に設けられ、微粒子4を埋め込むSiO2からなる絶縁膜5と、絶縁膜5上に設けられたコントロールゲート6とを備えている。量子ドットとして機能する微粒子4が製造工程中あるいは製造後に酸化されて絶縁体となることがないので、半導体装置は歩留まり良く製造され、且つ信頼性が向上している。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板上に設けられた第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、 前記第1の絶縁膜のうち少なくとも前記ゲート電極の直下に位置する領域上に配置され、前記第2の絶縁膜に埋め込まれた酸化物半導体または酸化物導電体からなる微粒子と、 平面的に見て、前記ゲート電極の直下に配置された前記微粒子の両側方に位置する領域に設けられた半導体からなる不純物拡散層と を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  B82B 3/00 ,  H01L 29/06 ,  H01L 27/115
FI (4)：
H01L29/78 371 ,  B82B3/00 ,  H01L29/06 601D ,  H01L27/10 434
F-Term (17)：
5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083FZ01 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD37 ,  5F101BD40 ,  5F101BH01 ,  5F101BH03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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