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J-GLOBAL ID：200903016493927034

窒素化合物ガスクラスターイオンビームによる窒化物 もしくは窒化表面の形成方法

Inventor： 斉藤 博 ,  山田 公 ,  松尾 二郎
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998280525
Publication number (International publication number)：2000087227
Application date： Sep. 15, 1998
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 CVDよりも低温で、表面ダメージの少ない窒化ないしは窒化物形成を可能とする。【解決手段】 固体表面に、窒素化合物ガスクラスターのイオンビームを照射することにより窒化物もしくは窒化表面を形成する。

Claim (excerpt)：

固体表面に、窒素化合物のガスクラスターのイオンビームを照射することにより窒化物もしくは窒化表面を形成することを特徴とする窒化物もしくは窒化表面の形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/32 ,  C23C 14/06

FI (2)：

C23C 14/32 G ,  C23C 14/06 A

F-Term (9)：

4K029AA02 ,  4K029AA06 ,  4K029BA58 ,  4K029DA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC37 ,  4K029FA03 ,  4K029FA04 ,  4K029HA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭57-036436
  
• 特開昭62-086153
  
• ガスクラスターイオン援用による化合物薄膜の 形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-088223   Applicant：新技術事業団
• 窒化ホウ素薄膜及び半導体素子の形成方法、その薄膜形成装置並びにそれらを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-139840   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-354865
  
• クラスターイオンビームスパッター装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-244413   Applicant：新技術事業団, アユミ工業株式会社
• 高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-073946   Applicant：株式会社島津製作所
• 特開昭57-158378
  
• レーザーアブレーション装置およびそれを用いた半導体形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-035102   Applicant：松下電器産業株式会社