パターン描画方法、マスクおよびマスク製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山田文雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001318562
Publication number (International publication number)：2003124099
Application date： Oct. 16, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】マスクパターンの開口部エッジの回折効果またはこれに位相シフト効果を付加することによってマスクパターンよりも縮小された露光イメージを形成する場合に、希望の露光パターンを自由に形成することを可能にし、マスクの汎用性を高めてマスクコストを低減させる。【解決手段】同一形状の露光ビーム透過領域(54、154)を二次元に規則性をもって配列したマスク(50、150)を所定間隔をもって基板に対向させ、透過領域(54、154)の0次回折像が透過領域(54、154)よりも小さくなるようにした回折像を基板上に形成させ、マスク(50、150)を基板に対して相対移動させて0次回折像により描画する。すなわちマスクパターンの開口部を0次回折像からなる小スポットに結像させ、このスポットを連続的または不連続的(断続的)に移動させながら希望のパターンを描画露光する。

Claim (excerpt)：

平面基板上にパターンを形成するリソグラフィに用いるパターン描画方法であって、同一形状の露光ビーム透過領域を二次元に規則性をもって配列したマスクを所定間隔をもって基板に対向させ、前記透過領域の0次回折像が前記透過領域よりも小さくなるようにした回折像を前記基板上に形成させ、前記マスクを基板に対して相対移動させて前記0次回折像により描画することを特徴とするパターン描画方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 1/16 , G03F 7/20 521

FI (7)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 B , G03F 1/08 D , G03F 1/16 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 531 E , H01L 21/30 531 M

F-Term (13)：

2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BB11 , 2H095BB12 , 2H095BB16 , 2H095BB36 , 2H095BC09 , 5F046GA02 , 5F046GA04 , 5F046GA06 , 5F046GD02 , 5F046GD03 , 5F046GD20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

X線露光用マスク及びその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-183470 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平4-322419
特開平2-052416

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