半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997184851
Publication number (International publication number)：1999031842
Application date： Jul. 10, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】絶縁基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体が積層される半導体発光素子においても、n形層3とn側電極9とのオーミックコンタクト特性を向上させて順方向電圧を低下させ、発光効率が高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に発光層を形成すべくn形層3およびp形層5を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される半導体積層部10と、該半導体積層部のn形層およびp形層にそれぞれ電気的に接続して設けられるn側電極9およびp側電極8とを有し、前記n形層3は、前記n側電極が設けられる部分のキャリア濃度が前記発光層に接する部分のキャリア濃度より大きくなるように、少なくともn形第1層3aとn+ 形第2層3bとを有している。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に発光層を形成すべくn形層およびp形層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層される半導体積層部と、該半導体積層部のn形層およびp形層にそれぞれ電気的に接続して設けられるn側電極およびp側電極とを有し、前記n形層は、前記n側電極が設けられる部分のキャリア濃度が前記発光層に接する部分のキャリア濃度より大きくなるように形成されてなる半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C , H01L 21/28 301 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036250 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-148470 Applicant：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338114 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩

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