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J-GLOBAL ID：200903017503837965

荷電粒子マスク欠陥修正装置によるフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法

Inventor：
高岡 修

About 高岡 修


Applicant, Patent owner：
セイコーインスツルメンツ株式会社

About セイコーインスツルメンツ株式会社


Agent (1)： 松下 義治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003066892
Publication number (International publication number)：2004279461
Application date： Mar. 12, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：
【課題】イオンビームを用いたマスク欠陥修正や電子ビームを用いたマスク欠陥修正に対して、ハロー成分や再付着のない高品位なフォトマスクの欠陥修正を可能にする。【解決手段】イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置や電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置による白欠陥もしくは黒欠陥の修正個所に対して、ダメージのない電子ビーム加工装置で白欠陥修正個所のハロー成分や黒欠陥周辺の再付着もしくは白欠陥周辺の付着を除去する。白欠陥修正個所3のハロー成分に関しては、ハロー成分が存在する個所6を認識し、ガス銃5からビーム照射位置近傍に水蒸気を導入して電子ビーム4でエッチングを行い、ハロー成分6の除去を行う。黒欠陥材料の再付着領域8として認識したところにガス銃9からフッ化キセノンを流しながら電子ビーム4でエッチングを行い除去する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置で修正したフォトマスクの白欠陥修正個所のハロー成分を該ハロー成分位置に水蒸気を供給しながら電子ビームを照射してエッチングすることにより除去することを特徴とするフォトマスク欠陥修正個所の二次処理方法。
IPC (2)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (4)：
G03F1/08 T ,  G03F1/08 V ,  G03F1/08 W ,  H01L21/30 502P
F-Term (4)：
2H095BD31 ,  2H095BD32 ,  2H095BD33 ,  2H095BD36
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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