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J-GLOBAL ID：200903018529157381

欠陥観察方法及び欠陥観察装置

Inventor：
楠瀬 治彦

About 楠瀬 治彦

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粟村 直樹

About 粟村 直樹

, 
小林 武史

About 小林 武史


Applicant, Patent owner：
レーザーテック株式会社

About レーザーテック株式会社

, 
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001155215
Publication number (International publication number)：2002350731
Application date： May. 24, 2001
Publication date： Dec. 04, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 100nm程度の微細な欠陥を高倍率観察モードにおいて簡単な作業で観察できる欠陥観察方法を提供する。【解決手段】 欠陥検査すべき基板の表面を光ビームで走査し、欠陥及びそのアドレス座標を検出する。観察された欠陥及びそのアドレス座標を用い、欠陥を光学的に観察する。この光学観察で高倍率モードでの観察が必要であると判断した場合、欠陥の位置を指示するマークを、基板の欠陥の付近に機械的手段を用いて凹部として形成する。観察において欠陥の位置を示すアラインメントマークとしての機能を果たす。次低倍率観察モード及び高倍率観察モードを有する顕微鏡装置を用い、低倍率観察モードで前記欠陥を指示するマークを検出し、さらに高倍率観察モードにおいて、検出したマークを用いて観察すべき欠陥を視野内に位置させ、微細欠陥を高倍率観察モードで観察する工程とを具える。
Claim (excerpt)：
基板の表面領域に存在する欠陥を観察するに際し、検査すべき基板の表面を光ビームにより走査して欠陥を検出する第1の観察工程と、検出された欠陥の位置を指示するために欠陥の近傍にマーキングを行うマーキング工程と、当該マーキングを目印として、検出された欠陥を第1の観察工程の倍率よりも高い倍率で観察する第2の観察工程とを具えることを特徴とする欠陥観察方法。
IPC (6)：
G02B 21/00 ,  G01N 21/956 ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  G01N 23/227 ,  G03F 1/08
FI (6)：
G02B 21/00 ,  G01N 21/956 A ,  G01N 23/04 ,  G01N 23/225 ,  G01N 23/227 ,  G03F 1/08 S
F-Term (27)：
2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001BA09 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001GA01 ,  2G001GA06 ,  2G001HA09 ,  2G001HA13 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001RA01 ,  2G001RA20 ,  2G051AA51 ,  2G051AB07 ,  2G051AC02 ,  2G051BA10 ,  2G051BC05 ,  2G051CA03 ,  2G051CB05 ,  2G051DA15 ,  2H052AE11 ,  2H052AF02 ,  2H095BA01 ,  2H095BD04 ,  2H095BD11 ,  2H095BD21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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