半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999035759
Publication number (International publication number)：2000235979
Application date： Feb. 15, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】再配線上に柱状電極が設けられたCSPにおいて、再配線の配置に制約を受けないようにする。【解決手段】シリコン基板11の上面中央部の回路素子形成領域上には第1の絶縁膜14を介して接地電位層16が設けられている。接地電位層16上には第2の絶縁膜18を介して再配線20が設けられている。再配線20の先端部から成る接続パッド部20a上には柱状電極21が設けられている。そして、シリコン基板11の回路素子形成領域内に設けられた発振回路等と再配線20とがクロスしても、接地電位層16によりクロストークが発生しないようにすることができ、ひいては再配線20の配置に制約を受けないようにすることができる。

Claim (excerpt)：

上面中央部を回路素子形成領域とされた半導体基板と、該半導体基板の上面周辺部に設けられた接続パッドと、前記回路素子形成領域上に第1の絶縁膜を介して設けられたバリア層と、該バリア層を含む前記半導体基板上に第2の絶縁膜を介して且つ前記接続パッドに接続されて設けられた再配線と、該再配線上に設けられた柱状電極とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/3205 , H01L 21/60 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 21/88 Z , H01L 21/92 602 G , H01L 27/04 L

F-Term (12)：

5F033RR04 , 5F033RR22 , 5F033VV03 , 5F033VV04 , 5F033VV05 , 5F033VV10 , 5F033XX23 , 5F038AC07 , 5F038AZ03 , 5F038AZ04 , 5F038CA16 , 5F038CD01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-259861 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-086024 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-038434 Applicant：日本電装株式会社

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Cited by examiner (7)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-259861 Applicant：新光電気工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-086024 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
基準平面金属化層を有する集積回路電気装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-278555 Applicant：ディジタルイクイプメントコーポレイション

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