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J-GLOBAL ID：200903017663395683

半導体装置の製造方法

Inventor：
伊藤 仁

About 伊藤 仁

, 
小山 正人

About 小山 正人

, 
西山 彰

About 西山 彰


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000019704
Publication number (International publication number)：2001210636
Application date： Jan. 28, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】本発明は、半導体装置の製造方法に係わり、特に電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜、ゲート電極の形成方法に関する。金属ゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜/半導体の構造を歩留まり高く容易に製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくともシリコン熱酸化膜の比誘電率(3.9)よりも高い比誘電率を示す金属酸化物になる金属から構成される第1のグループから選ばれた、少なくとも1種類以上の第1の金属または第1の金属の酸化物を半導体基板または半導体薄膜の上に堆積し、遷移金属または貴金属から構成される第2のグループから選ばれた、少なくとも1種類以上の金属であり、かつ、第1の金属よりも電気陰性度が小さい第2の金属を第一の金属または第一の金属の酸化物の上に堆積し、この基板を酸化性雰囲気中で熱処理し、第2の金属/第1の金属の金属酸化物/半導体の構造を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体膜上に、シリコン熱酸化膜の比誘電率よりも高い比誘電率を示す酸化物になる第1の金属を堆積する工程と、前記第1の金属上に、遷移金属あるいは貴金属からなり、前記第1の金属より電気陰性度が小さい第2の金属を堆積する工程と、前記積層体を酸化性雰囲気で熱処理する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78
FI (7)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/283 B ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (48)：
4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD31 ,  4M104DD34 ,  4M104DD86 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F040DA19 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC08 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA02 ,  5F040FA05 ,  5F040FB02 ,  5F040FC10 ,  5F048AA05 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF17 ,  5F058BF52 ,  5F058BF54 ,  5F058BF61 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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