半導体不揮発性記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172956
Publication number (International publication number)：1996036890
Application date： Jul. 25, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】単一電源で動作可能で、しかも完全な1トランジスタメモリタイプのセル面積の小さい半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】ビット線、ソース線とも主配線と副配線とに階層化され、それぞれ主配線と副配線とが動作に応じて選択的に接続され、かつ副ソース線と副ビット線間にメモリセルが並列接続された半導体不揮発性記憶装置において、データの書き込みは、FNトンネリングにより、チャンネル全面からフローティングゲート中に電子を注入することにより行い、消去はFNトネリングによりドレイン側からフローティングゲート中の電子を引き抜くことにより行う。たとえば、書き込み時は選択ワード線WL2に22V、非選択のワード線WL1,WL3〜WL32に中間電圧11Vを印加し、消去時は選択されたワード線WL2に負電圧-14Vを印加し、全ビット線に電源電圧3.3Vを印加する。

Claim (excerpt)：

ビット線、ソース線とも主配線と副配線とに階層化され、それぞれ主配線と副配線とが動作に応じて選択的に接続され、かつ副ソース線と副ビット線間にメモリセルが並列接続された半導体不揮発性記憶装置であって、データの書き込みは、FNトンネリングにより、チャンネル全面から電荷蓄積層中に電荷を注入することにより行い、消去はFNトンネリングによりドレイン側から電荷蓄積層中の電荷を引き抜くことにより行う半導体不揮発性記憶装置。

IPC (9)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

G11C 17/00 307 D , G11C 17/00 530 D , H01L 27/04 F , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331403 Applicant：株式会社日立製作所
半導体不揮発性記憶装置の書き込み及び消去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238011 Applicant：三菱電機株式会社
不揮発性半導体メモリ及びその消去、書込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-148097 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331403 Applicant：株式会社日立製作所
半導体不揮発性記憶装置の書き込み及び消去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238011 Applicant：三菱電機株式会社
不揮発性半導体メモリ及びその消去、書込み方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-148097 Applicant：株式会社東芝

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