半導体加速度センサ

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安藤淳二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999304751
Publication number (International publication number)：2001124797
Application date： Oct. 27, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】感度の高い半導体加速度センサを提供すること。【解決手段】撓み部を複数本の平行な撓み部4で構成し、その内の2本の各撓み部4には2個のピエゾ抵抗6を形成し、第1のピエゾ抵抗6を撓み部4の長手方向に対し略平行かつ撓み部4の長手方向略中心線上に配置し、第2のピエゾ抵抗6を撓み部4の長手方向に対し略直交かつ撓み部の長手方向略中心線上に配置するようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

加速時に変位する重り部と、該重り部に連結された撓み部と、該撓み部を支持する支持部と、該撓み部に前記重り部の変位により前記撓み部に生じる歪みを検出するピエゾ抵抗を有して、該ピエゾ抵抗の抵抗変化をもとに加速度を検知する半導体加速度センサにおいて、前記撓み部を複数本の平行な撓み部で構成し、その内の2本の各撓み部には2個のピエゾ抵抗を形成し、第1のピエゾ抵抗を撓み部の長手方向に対し略平行かつ撓み部の長手方向略中心線上に配置し、第2のピエゾ抵抗を撓み部の長手方向に対し略直交かつ撓み部の長手方向略中心線上に配置するようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/12 , H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/12 , H01L 29/84 A

F-Term (10)：

4M112AA02 , 4M112BA01 , 4M112CA24 , 4M112CA26 , 4M112CA29 , 4M112EA02 , 4M112EA03 , 4M112EA04 , 4M112EA06 , 4M112FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-327712 Applicant：松下電工株式会社
半導体加速度センサおよびそのオフセット電圧調整方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-312028 Applicant：富士電機株式会社, 富士通テン株式会社
半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-025678 Applicant：松下電工株式会社

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