窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998342864
Publication number (International publication number)：2000174338
Application date： Dec. 02, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。【解決手段】 n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板1の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層2と活性層3とp型クラッド層との積層構造が設けられ、前記基板1に接続される電極を有する半導体発光素子において、前記電極を、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板1の表面に直接接して設けることによって、主発光面側に配置される電極を不要とし発光素子直上の配光分布を均一なものとすることができる。

Claim (excerpt)：

n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層と活性層とp型クラッド層との積層構造が設けられ、前記基板に接続される電極を有する半導体発光素子であって、前記電極は、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板の表面に直接接して設けられていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

F-Term (17)：

5F041AA04 , 5F041AA05 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA83 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-321026 Applicant：豊田合成株式会社
青色発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238553 Applicant：三菱電線工業株式会社
特開昭52-128087

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