磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005192226
Publication number (International publication number)：2006019743
Application date： Jun. 30, 2005
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：

【課題】十分に高い抵抗変化率および絶縁破壊電圧を確保しつつ、安定した製造に適した磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。【解決手段】 α-TaNからなるキャップ層44を有するワード線45の上に、MTJ素子37Aを設けるようにしたので、MTJ素子37Aを構成するシード層46A、ピンニング層47、SyAP層48、トンネルバリア層49、フリー層50およびキャップ層51における結晶構造を、十分に均質化および緻密化することができる。この結果、十分な抵抗変化率および絶縁破壊電圧の双方を安定かつ容易に実現することが可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基体上に、第1シード層と、導電層と、α相の窒化タンタル(α-TaN)からなる第1キャップ層とを順に有する下部電極と、導線としての上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置され、かつ、前記下部電極の側から順に第2シード層と、反強磁性ピンニング層と、ピンド層と、トンネルバリア層と、磁化自由層と、前記上部電極と接する第2キャップ層とを有する磁気トンネル接合素子とを備えたことを特徴とする磁気メモリ構造。

IPC (5)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 21/824

FI (5)：

H01L43/08 D , H01L43/08 Z , G11B5/39 , G11C11/15 110 , H01L27/10 447

F-Term (11)：

5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

米国特許第6114719号明細書
米国特許第6518588号明細書
米国特許第6703654号明細書

Show all

Cited by examiner (10)

磁気メモリ装置の製造方法および磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-129509 Applicant：ソニー株式会社
特許第6703654号
Ti-V合金被膜またはTi-Mo合金被膜の酸化処理による酸化チタンウイスカーの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-145878 Applicant：科学技術振興事業団

Show all

Return to Previous Page