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J-GLOBAL ID：200903018108320933

ダイヤモンド素子及びその製造方法

Inventor： 梅澤 仁 ,  齊藤 丈靖 ,  朴 慶浩 ,  鹿田 真一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005280661
Publication number (International publication number)：2007095834
Application date： Sep. 27, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：

【課題】通常の半導体材料に比べて、絶縁破壊電界が高く、熱伝導率が極めて良好で放熱性に優れ、化学的にも安定であり、またバンドギャップが大きいというダイヤモンド半導体の特性を最大限に活用するために、高温大気下、放射線下等の過酷な環境下でも動作ショットキー電極を備えたダイヤモンド素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体ダイヤモンド表面上に、窒化物導電体からなるショットキー電極層を備えていることを特徴とするダイヤモンド素子。半導体ダイヤモンド表面上に、純金属、金属窒化物、金属珪化物、金属硼化物、金属炭化物から選択した一種以上の電極素子とその上に形成された窒化物導電体のキャップからなるショットキー電極層を備えていることを特徴とするダイヤモンド素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体ダイヤモンド表面上に、窒化物導電体からなるショットキー電極層を備えていることを特徴とするダイヤモンド素子。

IPC (3)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/28

FI (2)：

H01L29/48 D ,  H01L21/28 301R

F-Term (7)：

4M104AA10 ,  4M104BB14 ,  4M104BB29 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開平1-161759号公報
  
• 特開平1-246867号公報
  
• 特開平3-110824号公報
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-193239   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド半導体整流素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118543   Applicant：株式会社神戸製鋼所

Cited by examiner (4)

• 特開平3-291980
  
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-137061   Applicant：三菱電機株式会社
• ダイヤモンド素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-262886   Applicant：出光石油化学株式会社
• ダイヤモンド薄膜素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-118847   Applicant：富士電機株式会社