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J-GLOBAL ID：200903018294175905

高耐圧半導体リレー

Inventor：
仲矢 実

About 仲矢 実


Applicant, Patent owner：
横河電機株式会社

About 横河電機株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004063375
Publication number (International publication number)：2005252909
Application date： Mar. 08, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：
【課題】 部品点数を削減し実装面積を低減すると共に安全規格に対応可能な高耐圧半導体リレーを実現する。【解決手段】 高耐圧半導体リレーにおいて、2つのLEDと、誘電体分離された基板の周辺部分に形成された複数個のDMOSFETを直列接続し、基板の中央部分にLEDの出力光を受光するDMOSFETと同数の電圧出力型フォトダイオードアレイを形成し、DMOSFETに隣接する電圧出力型フォトダイオードアレイ及びシャント抵抗をそれぞれDMOSFETのソース・ゲート間に並列に接続した2つの誘電体分離チップとを設ける。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
高耐圧半導体リレーにおいて、 2つのLEDと、 誘電体分離された基板の周辺部分に形成された複数個のDMOSFETを直列接続し、前記基板の中央部分に前記LEDの出力光を受光する前記DMOSFETと同数の電圧出力型フォトダイオードアレイを形成し、前記DMOSFETに隣接する電圧出力型フォトダイオードアレイ及びシャント抵抗をそれぞれ前記DMOSFETのソース・ゲート間に並列に接続した2つの誘電体分離チップと を備えたことを特徴とする高耐圧半導体リレー。
IPC (1)：
H03K17/78
FI (2)：
H03K17/78 F ,  H03K17/78 J
F-Term (8)：
5J050AA00 ,  5J050AA46 ,  5J050BB21 ,  5J050DD00 ,  5J050DD08 ,  5J050EE13 ,  5J050FF04 ,  5J050FF10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 半導体リレー回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-329123   Applicant：松下電工株式会社
  • 半導体リレー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-020913   Applicant：横河電機株式会社
  • 半導体リレー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-126879   Applicant：横河電機株式会社
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