Pat

J-GLOBAL ID：200903018690742839

多価イオンを利用する半導体製造方法

Inventor： 百田 佐多生 ,  野尻 洋一 ,  宮本 岩男 ,  谷口 淳 ,  森田 昇 ,  川堰 宣隆
Applicant, Patent owner： 学校法人高知工科大学 ,  学校法人東京理科大学 ,  国立大学法人富山大学
Agent (1)： 清原 義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005054751
Publication number (International publication number)：2006245052
Application date： Feb. 28, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】 半導体を製造するリソグラフィ工程での露光照射工程に於ける露光に多価イオンビームを利用することによって、極めて迅速なエッチング速度を得ることができる多価イオンを利用する半導体製造方法の提供。【解決手段】 半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、 前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする多価イオンを利用する半導体製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/306

FI (1)：

H01L21/306 T

F-Term (9)：

5F043AA02 ,  5F043AA29 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043AA37 ,  5F043BB00 ,  5F043CC01 ,  5F043DD17 ,  5F043GG02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-066398   Applicant：川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
• 表面処理方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-020870   Applicant：株式会社日立製作所