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J-GLOBAL ID：200903018802767856

フラッシュ様コアを有するEEPROMアレイ

Inventor：
ランブレイシェ,エミル

About ランブレイシェ,エミル

, 
スマランドイユ,ジョージ

About スマランドイユ,ジョージ


Applicant, Patent owner：
アトメル・コーポレイション

About アトメル・コーポレイション


Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996528421
Publication number (International publication number)：1998500801
Application date： Feb. 22, 1996
Publication date： Jan. 20, 1998
Summary：
【要約】セクタプログラマブルEEPROMメモリは、十分な特徴を持つバイトプログラマブルEEPROMのバイトプログラマブル機能性をエミュレートすることができる。EEPROMメモリは、ユーザシステムにより入力されるバイトレベルデータと主メモリコアに書込まれるワードレベルデータとの間でバッファとして用いられるオンチップ書込キャッシュ(83)を組込む。EEPROM主メモリコアはメモリページ(32)に分割され、各メモリページはさらにサブページセクタ(59-62)に分割され、各サブページセクタは多数の多バイトデータワードを保持する。メモリページ内のサブページセクタは個々にまたは集合的にプログラムおよび消去サイクルを経ることができる。EEPROMメモリは、メモリコア内の失われたデータを回復しかつリフレッシュするのに用いられるECCユニット(73)を組込む。EEPROMメモリは割込可能なロードサイクルも可能である。
Claim (excerpt)：
複数のメモリページに分割される主メモリコアと書込キャッシュとを有するタイプのEEPROMメモリアレイに3サイクルを用いてデータを書込む方法であって、 (a) 前記書込キャッシュ内へのバイトサイズのデータのユーザ入力のステップと、 (b) 選択された主メモリページから前記書込キャッシュ内に多バイトデータワードを読戻すステップと、 (c) 前記書込キャッシュから前記主メモリコア内に多バイトデータワードをロードバックするステップとを特徴とする、方法。
IPC (2)：
G11C 16/02 ,  G11C 29/00 631
FI (2)：
G11C 17/00 611 G ,  G11C 29/00 631 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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