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J-GLOBAL ID：200903018832447333

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
上野 和良

About 上野 和良


Applicant, Patent owner：
NECエレクトロニクス株式会社

About NECエレクトロニクス株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002195997
Publication number (International publication number)：2004039916
Application date： Jul. 04, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：
【課題】金属領域を備えた半導体装置において、ストレスマイグレーション耐性を高め、信頼性を向上させる。【解決手段】絶縁膜101中に、バリアメタル膜102および銅含有金属膜103からなる下層配線を形成し、この上に層間絶縁膜104(または104aおよび104b)を形成する。この層間絶縁膜104(または104aおよび104b)中にバリアメタル膜106(または106aおよび106b)および銅含有金属膜111(または111aおよび111b)からなる上層配線を形成する。下層配線および上層配線の表面に銀含有金属保護膜108aおよび108bを形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された、銅を主成分とする金属領域と、 を含み、 前記金属領域の上部表面近傍に、銅とは異なる異種金属元素が偏在した異種元素偏在部が設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L21/3205 ,  H01L21/768
FI (2)：
H01L21/88 M ,  H01L21/90 A
F-Term (48)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ79 ,  5F033RR01 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033XX06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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