電界効果型トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002200268
Publication number (International publication number)：2004047566
Application date： Jul. 09, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】シンプルで簡便に製造することができるとともに、オン電流の向上とオフ電流の低減とを同時に実現することにより、大きなオン・オフ比を安価に得ることができる電界効果型トランジスタ、その製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、半導体層106と、半導体層106の一表面側に第1絶縁膜107を介して形成された第1ゲート電極108と、ソース/ドレイン電極104,105とから構成され、半導体層106が、ソース/ドレイン電極104,105間であって第1ゲート電極108に対向する少なくとも一部の領域において、他の領域よりも薄い膜厚で形成された領域を有する電界効果型トランジスタ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも、半導体層と、該半導体層の一表面側に第1絶縁膜を介して形成された第1ゲート電極と、ソース/ドレイン電極とから構成され、前記半導体層が、ソース/ドレイン電極間であって第1ゲート電極に対向する少なくとも一部の領域において、他の領域よりも薄い膜厚で形成された領域を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/00

FI (6)：

H01L29/78 618D , G02F1/1368 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617K , H01L29/78 617N , H01L29/28

F-Term (59)：

2H092HA28 , 2H092JA23 , 2H092JA28 , 2H092JB56 , 2H092KA09 , 2H092KA13 , 2H092MA10 , 2H092NA22 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE29 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF21 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN15 , 5F110NN27 , 5F110QQ02 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-234113 Applicant：シャープ株式会社
特開昭61-044468
TFT型液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-359901 Applicant：松下電器産業株式会社

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