2相駆動CMOS断熱的論理回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008128407
Publication number (International publication number)：2009278433
Application date： May. 15, 2008
Publication date： Nov. 26, 2009
Summary：

【課題】従来のCMOSスタティック論理ゲートで構成できる断熱的論理回路を提供すること。【解決手段】CMOSスタティック論理ゲートの直流電源VddをVddからVdd/2の間で台形波として変化する電源クロックVpに置き換え、またGNDにはVdd/2から0の間で三角波として変化する電源クロックVp-を接続することで、断熱的論理回路を構成でき、かつ従来のCMOSスタティック論理ゲートの設計資産を活用できる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

CMOSスタティック論理回路の直流電源を台形波電源へ、グランドを三角波電源へ置換し、2相の電源で駆動した断熱的論理回路。

IPC (1)：

H03K 19/094

FI (1)：

H03K19/094 B

F-Term (10)：

5J056AA03 , 5J056BB17 , 5J056BB18 , 5J056DD29 , 5J056EE03 , 5J056FF08 , 5J056FF09 , 5J056GG09 , 5J056GG14 , 5J056KK01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

CMOS回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-013282 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
断熱充電論理回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-038082 Applicant：日本電信電話株式会社
メモリ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-036519 Applicant：日本電信電話株式会社

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