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J-GLOBAL ID:200903019121253583
強誘電体膜
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003085419
Publication number (International publication number):2004292218
Application date: Mar. 26, 2003
Publication date: Oct. 21, 2004
Summary:
【課題】本発明は、簡便な組成でありながら高品質で熱処理持による微少な組成ずれがなく、誘電性、焦電性、圧電性、強誘電性、電気光学性、光起電力性、電歪、光歪などの有効な特性を有し、しかも高速かつ低コストで製造することが可能な新規な強誘電体膜を提供する。【解決手段】配向制御層の上に強誘電体層を設けた強誘電体膜であって、該配向制御層として、強誘電体層形成材料と同一の成分を有する強誘電体材料を用いた強誘電体膜。【選択図】なし
Claim (excerpt):
配向制御層の上に強誘電体層を設けた強誘電体膜であって、該配向制御層として、強誘電体層形成材料と同一の成分を有する強誘電体材料を用いることを特徴とする強誘電体膜。
IPC (3):
C30B29/32
, H01L27/105
, H01L41/187
FI (3):
C30B29/32 D
, H01L27/10 444C
, H01L41/18 101D
F-Term (25):
4G077AA03
, 4G077BC43
, 4G077DA01
, 4G077DB01
, 4G077ED06
, 4G077EF02
, 4G077EF03
, 4G077HA11
, 4G077SA04
, 4G077SA06
, 4G077TA04
, 4G077TC14
, 4G077TK01
, 5F083FR01
, 5F083JA02
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA42
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR23
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-283723
Applicant:沖電気工業株式会社
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マイクロアクチュエータおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-289833
Applicant:学校法人関西大学
-
強誘電体薄膜およびその形成方法とこれを用いた強誘電体薄膜素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-030043
Applicant:松下電器産業株式会社
Article cited by the Patent:
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