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J-GLOBAL ID:200903019193174319

半導体ウェハのダイシング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 飯田 敏三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001370500
Publication number (International publication number):2003173988
Application date: Dec. 04, 2001
Publication date: Jun. 20, 2003
Summary:
【要約】【課題】 半導体ウェハをダイシングする工程において、欠けの発生を防止し、更に、半導体チップの寸法と同寸法のダイボンドシートの小片をチップ裏面に簡易的に貼着一体化させるための手段を提供する。また、前述の問題点を一挙に解決する事を可能にする方法を提供する。【解決手段】 ダイボンドシート(2)が裏面側に貼合された半導体ウェハ(1)を、リングフレーム(3)に貼着固定されたレーザーマイクロジェットダイシング用テープ(24)により貼合支持固定した状態にて、半導体ウェハ(1)とダイボンドシート(2)とレーザーマイクロジェットダイシング用テープ(24)の粘着剤層(8)を、レーザービーム(5)がウォータージェット(6)によりガイドされるレーザーマイクロジェットダイシングによりフルカットダイシングする半導体ウェハのダイシング方法。
Claim (excerpt):
ダイボンドシートが裏面側に貼合された半導体ウェハを、レーザーマイクロジェットダイシング用テープにより貼合支持固定した状態にて、半導体ウェハとダイボンドシートとレーザーマイクロジェットダイシング用テープの粘着剤層とを、レーザービームがウォータージェットによりガイドされるレーザーマイクロジェットダイシングによりフルカットダイシングすることを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法。
IPC (3):
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 320 ,  B23K 26/14
FI (3):
B23K 26/00 320 E ,  B23K 26/14 Z ,  H01L 21/78 B
F-Term (4):
4E068AE01 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ07 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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