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J-GLOBAL ID：200903019525523800

マルチチャンバシステムを用いたプラズマ処理方法

Inventor：
藤本 究

About 藤本 究

, 
丁 載榮

About 丁 載榮

, 
布瀬 暁志

About 布瀬 暁志


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002227927
Publication number (International publication number)：2004071774
Application date： Aug. 05, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：
【課題】エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばFを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。【解決手段】本発明のプラズマ処理方法は、搬送アーム15Aを介してプロセスチャンバ11内にウエハWを搬入する工程と、プロセスチャンバ11内にFを含む処理ガスを導入する工程と、処理ガスをプラズマ化し、ウエハW中のSiを含有するバリア層22を覆っている絶縁膜層23を、これを覆っているマスク層24のパターン開口部24Aを介してエッチングしてバリア層22を露出させる工程と、搬送アーム15Aを介してウエハWをプロセスチャンバ11から他のプロセスチャンバ12内へ搬送する工程と、他のプロセスチャンバ12内でウエハWのマスク層24を除去する工程とを有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
複数の処理容器と搬送手段を有するマルチチャンバシステムを用いたプラズマ処理方法において、上記搬送手段を介して一の処理容器内に被処理体を搬入する工程と、上記一の処理容器内にFを含む処理ガスを導入する工程と、上記ガスをプラズマ化し、被処理体中のSiを含有する第1層を覆っている第2層を、第2層を覆っているマスク層のパターン開口を介してエッチングして第1層を露出させる工程と、上記搬送手段を介して上記被処理体を上記一の処理容器から他の処理容器内へ搬送する工程と、上記他の処理容器内で上記被処理体のマスク層を除去する工程と、を有することを特徴とするマルチチャンバシステムを用いたプラズマ処理方法。
IPC (2)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00
FI (4)：
H01L21/302 104H ,  C23F4/00 A ,  H01L21/302 301S ,  H01L21/302 301N
F-Term (28)：
4K057DA01 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DK03 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA05 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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