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J-GLOBAL ID：200903077750335584

Al系III-V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III-V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置

Inventor：
纐纈明伯

About 纐纈明伯

, 
熊谷義直

About 熊谷義直

, 
丸井智敬

About 丸井智敬


Applicant, Patent owner：
農工大ティー・エル・オー株式会社

About 農工大ティー・エル・オー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002106102
Publication number (International publication number)：2003303774
Application date： Apr. 09, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：
【要約】III族としてAlを含むIII-V族化合物半導体を、気相エピタキシー法で結晶成長させる方法にて、Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応させることで、反応容器である石英と激しく反応する塩化アルミニューム(AlCl)、臭化アルミニューム(AlBr)の発生を抑制した。このことで100ミクロン/hour以上の速度のAl系III-V族化合物半導体気相成長が可能となり、基板や耐劣悪環境半導体素子が量産できるようになった。【課題】Alを含むIII-V族化合物半導体を従来のHVPE法で結晶成長させる場合にて、石英と反応する塩化アルミニューム(AlCl)、臭化アルミニューム(AlBr)の発生を抑制すること。【解決手段】Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応することで、上記課題を解決した。
Claim (excerpt)：
III族としてAlを含むIII-V族化合物半導体を、気相エピタキシー法で結晶成長させる方法において、固体Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応させ、Alのハロゲン化物を生成する工程を有することを特徴としたAl系III-V族化合物半導体の気相成長方法
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34
F-Term (24)：
4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA49 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AC13 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045BB09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DQ08 ,  5F045EK06 ,  5F045EK30
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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