Al系III-V族化合物半導体の気相成長方法、Al系III-V族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002106102
Publication number (International publication number)：2003303774
Application date： Apr. 09, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：

【要約】III族としてAlを含むIII-V族化合物半導体を、気相エピタキシー法で結晶成長させる方法にて、Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応させることで、反応容器である石英と激しく反応する塩化アルミニューム(AlCl)、臭化アルミニューム(AlBr)の発生を抑制した。このことで100ミクロン/hour以上の速度のAl系III-V族化合物半導体気相成長が可能となり、基板や耐劣悪環境半導体素子が量産できるようになった。【課題】Alを含むIII-V族化合物半導体を従来のHVPE法で結晶成長させる場合にて、石英と反応する塩化アルミニューム(AlCl)、臭化アルミニューム(AlBr)の発生を抑制すること。【解決手段】Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応することで、上記課題を解決した。

Claim (excerpt)：

III族としてAlを含むIII-V族化合物半導体を、気相エピタキシー法で結晶成長させる方法において、固体Alとハロゲン化水素とを、700°C以下の温度で反応させ、Alのハロゲン化物を生成する工程を有することを特徴としたAl系III-V族化合物半導体の気相成長方法

IPC (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/34

FI (2)：

H01L 21/205 , C23C 16/34

F-Term (24)：

4K030AA03 , 4K030AA17 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030KA02 , 4K030KA49 , 4K030LA14 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AC13 , 5F045AD11 , 5F045AD14 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045BB09 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DQ08 , 5F045EK06 , 5F045EK30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

化学蒸着により窒化アルミニウムで被覆した部材
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-539937 Applicant：アドバンストセラミックスコーポレーション

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