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J-GLOBAL ID：200903019565764720

多層型薄膜光電変換装置

Inventor：
白間 英樹

About 白間 英樹


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003050051
Publication number (International publication number)：2004260014
Application date： Feb. 26, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：
【課題】高い光利用効率を実現しつつ高い半導体膜品質を確保できる光閉じ込め構造を有した高効率な多層型薄膜光電変換装置を提供すること。【解決手段】透光性基板101上に受光面側電極102を設け、この上に一導電型半導体層103、非晶質シリコン光活性層104、および逆導電型半導体層105から成る第1の光電変換ユニットを設け、この上に、一導電型半導体層107、微結晶シリコン光活性層108、および逆導電型半導体層109から成る第2の光電変換ユニットを設け、且つこの上側に裏面側電極111を設け、受光面側電極102における第1の光電変換ユニットを形成する面が表面凹凸形状を有し、微結晶シリコン光活性層108を形成する面が前記表面凹凸形状よりも緩和された凹凸形状を有するように、微結晶シリコン光活性層108より透光性基板101側に配置された半導体層の膜厚が設定されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に一方側電極を設け、この一方側電極上に一導電型半導体層、半導体より成る光活性層、および逆導電型半導体層から成る第1の光電変換ユニットを設け、この第1の光電変換ユニット上に、一導電型半導体層、微結晶半導体を含む光活性層、および逆導電型半導体層から成る第2の光電変換ユニットを設け、且つ該第2の光電変換ユニットの上側に他方側電極を設けた多層型薄膜光電変換装置であって、前記一方側電極における第1の光電変換ユニットを形成する面が表面凹凸形状を有しているとともに、前記微結晶半導体を含む光活性層を形成する面が前記表面凹凸形状よりも緩和された凹凸形状を有するように、前記微結晶半導体を含む光活性層より前記基板側に配置された半導体層の膜厚が設定されていることを特徴とする多層型薄膜光電変換装置。
IPC (1)：
H01L31/04
FI (1)：
H01L31/04 W
F-Term (24)：
4K030BA29 ,  4K030BA37 ,  4K030BA45 ,  4K030BB04 ,  4K030BB05 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030LA16 ,  5F051AA05 ,  5F051CA03 ,  5F051CA07 ,  5F051CA15 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37 ,  5F051DA18 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05 ,  5F051HA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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